OTDR:光纖測(cè)試方案(短光纖測(cè)試)及OM4光纖介紹
首先來看一下當(dāng)前數(shù)據(jù)中心的情況,10G已經(jīng)不是什么新鮮事物了,而介質(zhì)這塊,銅纜雙絞線也開始6A化,光纖也逐步升級(jí),而數(shù)據(jù)中心里的大部分光纖鏈路都小于200米,這使得基于VCSEL的850nm光收發(fā)器可以被大量使用,配合OM3光纖,光纖方案的成本更為降低,也使OM3成為萬兆速率數(shù)據(jù)中心的首選。
如表格1表格2所示,OM3光纖(MM50 um MBW=2000),在同樣插入損耗的情況下,與OM2 和OM1光纖相比,OM3光纖的傳輸距離可以更遠(yuǎn)。而通道最大距離與模式帶寬和通道最大插入損耗相關(guān)。例如,對(duì)于一個(gè)使用850nm OM3光纖的300米10GBase-SR鏈路而言,所能被允許的最大插入損耗是2.6分貝,而在1000BASE-SX網(wǎng)絡(luò)中則為3.56分貝,可以預(yù)見隨著速率不斷提升,損耗這塊的要求也越來越高了。而即使是在這2.6分貝的最大允許損耗中,也被分為光纖本身所固有的損耗,以及光纖連接和連接器損耗。
伴隨數(shù)據(jù)中心TIA-942推行的結(jié)構(gòu)化光布線系統(tǒng)的發(fā)展,在帶來靈活易用的同時(shí),也對(duì)光纖測(cè)試帶來了新的內(nèi)容,引入的結(jié)構(gòu)化布線,增加了連接器件,對(duì)接頭連接器的插入損耗有了更高的要求。
那么下面先來談一下數(shù)據(jù)中心短光纖的測(cè)試面臨的新的問題:
從目前光纖鏈路的測(cè)試來看,主要分成兩個(gè)等級(jí),第一等級(jí)為OLTS測(cè)試,第二等級(jí)為OTDR測(cè)試;從實(shí)際驗(yàn)收來看更多的采用的是OLTS測(cè)試,即光源和光表的測(cè)試方式,其原因除了測(cè)試設(shè)備相對(duì)價(jià)格低廉有關(guān)外,也和其使用簡(jiǎn)易程度有關(guān),相對(duì)來說,使用第二級(jí)別的OTDR測(cè)試儀需要更專業(yè)的知識(shí),需要讀懂OTDR的曲線圖,并且判定故障原因,這絕非簡(jiǎn)單培訓(xùn)就可以上手的工作。
另外,不論部署結(jié)構(gòu)化光布線網(wǎng)絡(luò),還是模塊化高密度MPO方案時(shí),多模光纖都被大量運(yùn)用,此時(shí)用光纖元件標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試通過,而用應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試則不一定過,兩類標(biāo)準(zhǔn)門限值有所不同,測(cè)試時(shí)選標(biāo)準(zhǔn)不當(dāng),也會(huì)給后續(xù)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行埋下故障隱患。
???????? 不僅如此,在選用OTDR(Optical Time Domain Reflectometer,簡(jiǎn)稱OTDR)測(cè)試儀時(shí),死區(qū)的問題也是不能忽略的一大問題,OTDR的死區(qū)分為事件死區(qū)和衰減死區(qū),事件死區(qū)代表OTDR所能檢測(cè)到的光纜的最短長(zhǎng)度。死區(qū)越短,可檢測(cè)到的光纜長(zhǎng)度就越短。如果事件死區(qū)比被測(cè)的光纜長(zhǎng)度要短,那么就可以使用OTDR來測(cè)試這條鏈路。而衰減死區(qū)一般要大于事件死區(qū),它的定義是可以測(cè)得的連續(xù)兩個(gè)事件插入損耗數(shù)值的最小距離。
數(shù)據(jù)中心內(nèi)網(wǎng)絡(luò)的光纜鏈路通常都非常短,同時(shí)通道里還會(huì)有多個(gè)連接器和短的跳線。在進(jìn)行光纜測(cè)試時(shí),應(yīng)該使用具有短事件死區(qū)和衰減死區(qū)的OTDR測(cè)試儀。
例如,假設(shè)正在測(cè)試的光纜鏈路包含一根三米長(zhǎng)的跳線,如果你的OTDR事件死區(qū)指標(biāo)為5米,OTDR 將會(huì)只檢測(cè)到跳線的起始端,而檢測(cè)不到終點(diǎn)。如果您使用的OTDR 事件死區(qū)為2 米,您就可以同時(shí)看到跳線的兩端。這時(shí)你就可以正確地測(cè)量鏈路中安裝的跳線的長(zhǎng)度并進(jìn)行文檔備案。
針對(duì)上述數(shù)據(jù)中心短光纖鏈路測(cè)試中的問題,那么具體如何進(jìn)行測(cè)試呢?
建議可以按如下幾個(gè)原則進(jìn)行測(cè)試:
1.?????? 用OLTS(Optical Loss Test Set,簡(jiǎn)寫OLTS)光源、光表測(cè)量鏈路損耗,用OTDR測(cè)量長(zhǎng)度。由于使用光源、光表測(cè)量鏈路損耗接近于標(biāo)準(zhǔn)損耗測(cè)量方法,最接近真實(shí)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行狀況,所以損耗測(cè)量精度可以得到保障。而單單通過OTDR測(cè)試儀進(jìn)行損耗測(cè)試,因?yàn)樵砩纤墙柚鷾y(cè)量背向瑞利散射光,距離越遠(yuǎn),測(cè)量精度越難以保障。而在OTDR測(cè)試儀的量程選擇上也非越大越好,一般選為被測(cè)光纖長(zhǎng)度的兩倍以上,如設(shè)置太大,會(huì)增加測(cè)試時(shí)間,并會(huì)增加測(cè)量誤差。脈寬選擇也需要做限制,寬脈沖發(fā)射光功率大,測(cè)的距離遠(yuǎn),信噪比好,但測(cè)距空間分辨率低;而窄脈沖信噪比差,測(cè)距空間分辨率高,因此,一般測(cè)短距離光纖選窄脈沖,長(zhǎng)距離時(shí)才選寬脈沖。
2.?????? OLTS測(cè)試時(shí),使用卷軸,這樣在實(shí)際測(cè)試是,可以濾除高次模,提高測(cè)試穩(wěn)定性,避免測(cè)試結(jié)果出現(xiàn)時(shí)大時(shí)小,不穩(wěn)定的狀況,當(dāng)然測(cè)試前需要在做基準(zhǔn)
本文關(guān)鍵字: OM4, OTDR, 光纖測(cè)試
原創(chuàng)標(biāo)題:OTDR:光纖測(cè)試方案(短光纖測(cè)試)及OM4光纖介紹
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