專注福祿克測試儀銷售與技術(shù)

在高密度環(huán)境下測試多模光纖布線需要能夠測試超近距離連接器的專用 OTDR。福祿克的OptiFiber PRO可以針對短鏈路進行測試。單模為OFP-100-S，多模為OFP-100-M ，單多模為OFP-100-Q通常，這種連接器有高插入損耗和高反射。因此，除了有最高空間分辨率的 OTDR 之外，難以在所有測試中均使用 OTDR。這種類型的 OTDR 的核心是兩個組件，一個脈沖激光器和雪崩光電二極管 (APD)。電子元件的設(shè)計，更重要的是，選擇的 APD 的類型，決定了死區(qū)的性能。所有 OTDR 供應(yīng)商均提供死區(qū)技術(shù)指標。但是，檢查死區(qū)時有幾個需要考慮的事項。首先，必須考慮死區(qū)是在什么條件下確定的技術(shù)指標。其次，死區(qū)如何隨反射的提高而變化很重要 – 這是供應(yīng)商不會提供的技術(shù)指標。第三，實際光纖網(wǎng)絡(luò)中可以預(yù)期的死區(qū)性能。

死區(qū)技術(shù)指標
如圖 1 所示，衰減死區(qū) (ADZ) 定義為（通常為單個“良好”連接器反射事件）脈沖上升沿到直接擬合到反向散射的 0.5 dB 偏差之間的距離。反向散射水平是曲線上提供光纖衰減值的斜線。此死區(qū)技術(shù)指標通常是在最佳條件下給出的，例如最短脈沖寬度和最佳連接器反射。ADZ 技術(shù)指標的目的是說明在連接器后多少距離能夠準確地測量損耗，根據(jù)此定義，可與前一連接器串連一根死區(qū)長度的跳接線以測量損耗。但實際上可能并不是這樣。

在圖 2 中，事件死區(qū) (EDZ) 定義為（通常為單個“良好”連接器反射事件）兩個在反射峰以下 1.5 dB 的光標之間的距離。這代表了線性域中的半高全寬脈沖寬度。同樣，此死區(qū)技術(shù)指標通常是在最佳條件下給出的，即最短脈沖寬度和最佳連接器反射。EDZ 技術(shù)指標的目的是說明在連接器后多少距離能夠準確地測量長度。根據(jù)此定義，可與前一連接器串連一根死區(qū)長度的跳接線以測量長度。通常僅當(dāng)兩個連接器均滿足設(shè)置 EDZ 的條件（即 -45 dB 反射）時才會是這種情況。任一連接器反射發(fā)生變化時，定義不再有效，死區(qū)增加。

兩種類型的死區(qū)通常均在一個高質(zhì)量連接器上進行測量。對于單模的情況，可以使用 -52 dB 反射的連接器進行測量。在上圖中，“非飽和”表示低連接器反射，即在 OTDR 接收器中不會造成飽和和失真。反射高時，死區(qū)會因 APD 固有現(xiàn)象“拖尾”而增加。

客戶對 OTDR 性能的預(yù)期可能與 OTDR 技術(shù)指標不符。技術(shù)指標有特定的條件，一般會在腳注上說明。深圳連訊達是專業(yè)從事福祿克儀器儀表的銷售400-688-2580。對于 OTDR，死區(qū)技術(shù)指標應(yīng)僅限指定條件下的近端測量。死區(qū)相對測量長度應(yīng)保持常數(shù)。死區(qū)是有限寬度發(fā)射脈沖的函數(shù)，隨著測量長度的增加而變寬（較長的長度測量使用寬脈沖）。除稍后將討論的少數(shù)情況外，死區(qū)均隨反射增加。提供的技術(shù)指標供用戶比較 OTDR 性能。但是死區(qū)指標是為一個事件定義的，而不是作為網(wǎng)絡(luò)測試。較成熟的 OTDR 不僅顯示一條曲線和事件表，它們還提供所測光纖布線的圖形“映射”。映射最初是在內(nèi)建式 OTDR 中引入的，現(xiàn)在已被許多供應(yīng)商采用。映射信息是從用于生成事件表的相同分析中得出的，但顯示為更容易使用的示意圖。測量超近距離的連接器時，分析儀軟件會達到極限，特別是每個連接器有不同的反射時（即完好的連接器跟一個有劃痕的連接器）。

 

下面是一個事件死區(qū)示例。事件死區(qū)設(shè)置為 1 米。光纖網(wǎng)絡(luò)在兩個較長的長度中間有一根 1 米的跳接線。用戶希望 OTDR 定位并識別這個 1 米跳接線并盡量進行損耗和反射測量。僅當(dāng)滿足技術(shù)指標的條件時，OTDR 可以測量 1 米跳接線的長度；兩個反射均必須在技術(shù)指標腳注定義的范圍內(nèi)。請記住事件死區(qū)只定位反射峰，所以無法進行損耗測量。在另一示例中，衰減死區(qū)聲明為 2 米。光纖網(wǎng)絡(luò)在兩個長度中間有一根 2 米的跳接線。用戶希望能夠測量跳接線的損耗。如果每個反射之后都有足夠的反向散射，如圖所示，則 OTDR 將可以進行測量。

在圖 3 中，識別了 1.94 米長度的第一個連接器及位置、損耗和反射。因為兩個連接器間距小，所以第一個脈沖之后的反向散射可能會有所限制。第二個脈沖可能會融合到第一個脈沖的反向散射中。這樣，測量的損耗是從第二個脈沖的反向散射到第一個脈沖前側(cè)的反向散射末端。因此，實際測量的是兩個脈沖的損耗。

在圖 4 中，1.94 米跳接線遠端的第二個脈沖無法識別，被標記為隱藏事件。這是因為第二個脈沖的開始被隱藏在第一個脈沖的反向散射中。因此無法對該事件進行充分測量。

圖 5 顯示如果脈沖之間有足夠的距離，則可輕松測量兩個反射處的連接器衰減。在這種情況下可以根據(jù) OTDR 技術(shù)指標對衰減死區(qū)進行驗證。

另外，如果光纖網(wǎng)絡(luò)在兩根長光纖中間有一根 2 米跳接線，則可能無法進行可靠的測量，這是因為第一個連接器之后沒有足夠的反向散射（反射）進行直線近似。圖 6 顯示了兩個緊挨著的連接器，可能正好是衰減死區(qū)技術(shù)指標的長度。熟練的 OTDR 用戶可能可以手動測量兩個脈沖的衰減死區(qū)。但分析軟件則可能使用從第一個脈沖開始到第二個脈沖結(jié)束的反射散射之差測量第一個連接器（脈沖）的損耗。 

如前文所述，死區(qū)通常隨反射的增加而增加，這在使用 InGaAs 光電二極管時尤為麻煩。而 Si 要好得多。下面兩圖的數(shù)據(jù)來自使用 Si APD 或 InGaAs APD 的兩個 OTDR。InGaAs 數(shù)據(jù)雖然取自 1550 nm，但在任意波長（包括 850 nm）的死區(qū)響應(yīng)類型都是一樣的。850 nm 和 1310 nm 使用了類似的脈沖寬度。

下面的數(shù)據(jù)顯示了使用 OTDR 中常用的 InGaAs 光電二極管時在 1550 nm 上死區(qū)和連接器之間的關(guān)系。圖 7 中的第一個圖形顯示了反射從典型 UPC 連接器的值 (-45 dB)? 增加到高反射連接器（如臟連接器）時的 850 nm 事件死區(qū) (EDZ) 和衰減死區(qū) (ADZ)。數(shù)據(jù)顯示 EDZ 未受反射的影響。這是因為測量是在非飽和峰下執(zhí)行的。如果峰變飽和（即“平頂”），則 EDZ 會增加，但這與 OTDR 的設(shè)計有關(guān)。對于 ADZ，從 2 米到 2.75 米逐漸增加，但在 -26 dB 反射處有一個偏轉(zhuǎn)，且反射為 -25 dB 時 ADZ 增加到 4.5 米。盡管在這個范圍上 ADZ 有增加，但仍比使用 InGaAs APD 時 ADZ 的結(jié)果好得多，如圖 8 所示。

圖 8 顯示了在反射增加時 InGaAs APD 的 1550 nm 死區(qū)性能。此圖形顯示了反射從典型 UPC 連接器 -51 dB? 增加到高反射連接器 -30 dB（如臟連接器）時的 EDZ 和 ADZ。EDZ 不受反射影響，但 ADZ 慢慢從 4.5 米增加到 5 米（在 15 dB 范圍），然后在 -30 dB 快速增加并達到超過 30 米 ADZ。ADZ 將隨著反射的增加繼續(xù)增加。除非為單模 OTDR 進行了復(fù)雜的配置，否則使用 InGaAs APD 時它們都會受此現(xiàn)象的影響。

與用于 OTDR 的 InGaAs APD 相比，Si APD 在 850 nm 測量多模時可提供卓越的性能。Si APD 有更好的信噪比，可以對安裝的光纖布線使用窄脈沖詢問和分析。因連接器的高反射造成光過載時，Si APD 受到的拖尾影響要小得多。進行光纖網(wǎng)絡(luò)測試時，高反射大概是 OTDR 最常見的問題。數(shù)據(jù)顯示部署了 Si APD 的 OTDR 與其他類型 OTDR 相比有更大性能優(yōu)勢，特別是在高分辨率應(yīng)用中。雖然高性能 OTDR 可能價格較高，但對于比較 OTDR 供應(yīng)商提供技術(shù)指標的用戶來說，除非使用高反射進行評估，否則無法明確看出是否使用了 Si APD。